台积电在南京建的只是28纳米芯片厂 却跑到美国建5纳米工厂

2022-12-07 13:30

运营商财经 康钊/文

根据外媒报道,台积电于美国当地时间12月6日宣布,其亚利桑那州晶圆厂开始兴建第二期工程,预计于2026年开始生产3纳米制程技术。而台积电在内地最 好的南京工厂只能生产最高28纳米制程的芯片,差异大呀。

投资额差异巨大。2021年4月,台积电正式宣布,将投资28.87亿美元在南京建置28 纳米产能,预计从2022年下半年开始量产。

同年,台积电宣布计划将在美国亚利桑那州建立工厂,总投资高达120亿元。这还不止,今年,台积电又宣布将在美国建第二期工程,即第二个工厂,两个工厂加起来总共400亿美元。

这么算的话,台积电美国工厂的投资额将是台积电南京工厂的十几倍。

生产工艺差距大。台积电近年来规划了至少4个工厂,其中,高雄工厂将生产7nm及28nm制程的芯片。台积电日本首座工厂生产22/28纳米制程的芯片。

台积电美国一期工厂2024年开始生产4纳米制程技术,二期工厂于2026年开始生产3纳米制程技术芯片。

而台积电南京工厂扩建的新工厂却是扩建28nm芯片生产线 。

当时,这个事情引发的争议就很大,被认为台积电在故意提防内地的赶超,台积电创始人张忠谋曾说,过去十年拉大与对岸的差距,“因为我们跑得更快”。

生产规模相差不大,台积电曾表示,台积电将规划在南京厂建置月产4万片的28nm成熟制程产能,新产能预计2022年下半年开始逐步开出,2023年中达到月产4万片规模。

而台积电其美国第一个工厂产能为2万片,预估2026年月产能将增至4万片。

台积电南京工厂和美国工厂的产能相差不大。

看到台积电在美国和中国的投资策略相差如此大,也不用怪台积电,要怪就怪内地芯片技术落后。

2018年凤凰卫视采访台积电创始人张忠谋,主持人问其如何看待大陆的半导体市场,张忠谋曾表示对大陆半导体发展非常乐观。

他认为,大陆在芯片设计方面可以独立发展,也有了一些先进公司。芯片制造不是花很多钱、投入举国之力就能做成。

但后来张忠谋又改了观点,说大陆的芯片可以交由台积电生产,大陆负责设计即可。

他的意思是,大陆的芯片设计能力可以,但芯片代工能力不行。

这句话实际上给我们很大的警示。不要怪别人不帮我们,而是要自己做好,让别人愿意帮我们。

(责任编辑:韩丽)

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