骁龙835跑分出炉 竟然高出今年旗舰好几万

运营商世界网 张皓程 /文

今天下午，高通在北京正式发布了旗下8系列最强芯片骁龙835。除了新的制程工艺、调制解调器以及自研架构这些参数之外，这款新处理器的跑分被曝光了出来。

根据图片可以看出，骁龙835的安兔兔跑分达到了184034万分，对比来看，目前的iPhone 7 Plus跑分在17万左右，相比该分数多出了1W分左右，相比Android旗舰机的14W左右分数，高出了约4W分左右。跑分配置基于6GB内存、64GB存储、2K屏幕、2140万像素摄像头、安卓7.1.1系统。

此外，其他跑分软件的跑分信息也相继出炉，其中涵盖了Geekbench 4,GFXBench，PCMark等。

根据资料显示，这枚处理器采用了三星10nm FinFET LPE工艺，这也是第二代FinFET工艺同样是目前业界最先进的工艺。FinFET工艺主要是通过改造删栏形态来降低CPU漏电率，减小芯片功耗。根据高通公布的数据显示，每颗骁龙835上都集成了30亿个晶体管，封装面积进一步减小35%，相比骁龙820功耗降低了25%。

规格方面骁龙835采用了4x2.45GHz+4x1.9GHz的八核心设计，基于Kyro自研架构，骁龙835在四颗大核的L2二级缓存设计为2MB，四颗小核的L2二级缓存为1MB，相比骁龙820整整提升了一倍，直观的感受在于调用数据时的速度更快。另外，骁龙835采用了X16 LTE调制解调器，能够实现最高1Gbps的下行速率。GPU方面升级为Adreno 530，性能提升了25%。

在快充方面，骁龙835支持QC 4.0快充协议，其同样增加了对于USB Type-C和USB-PD的支持，并且包括USB供电。充电速度提升了20%，效率提升了30%，散热也更佳。