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6月10日消息，根据中科院网站公布的西信息，近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术，仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。 此消息一出，立刻被一些人解读成“国产光刻机取得突破”，事实果真如此吗?
首先，肯定要恭喜此事，因为这确实算一种技术突破。上海光学精密器械研究所，业内称之为上海“光机所”，此前，2020年9月16日，中科院正式宣布，已成立光刻机科研小组，争取在短时间内解决卡脖子问题，为国内科技企业的发展保驾护航。 上海光机所正是中科院承担此事的主力军之一。
其次，要注意的是，中科院上海光机所研发的光刻机与全球最领先的光刻机厂商荷兰ASML公司的EUV光刻机原理不同。
光刻工艺分为两种：一种是采用化学制品，诸如光刻胶等化学原料，对硅基晶圆上的光刻胶图像进行光化学反应的化学过程。荷兰ASML公司的EUV光刻机就属于这种类型。
另一种是，采用计算机模拟，从理论上探索、提高光刻分辨率与光刻工艺的新途径，为光刻制程提供工艺参数指导的计算机光刻。 中科院上海光机所研发的光刻机技术则属于这种类型。
这两种技术有什么差别呢？差别首先在于中科院上海光机所的光刻机技术还处于试验阶段，处于技术证明阶段，而荷兰ASML公司的EUV光刻机属于完全可商用，技术成熟。
所以，对于 中科院上海光机所研发的光刻机技术既可以开心，但又不能高兴得太早。任正非在去年曾明确表示，光刻机不需要大学和研究机构操心，主要原因就是高校和科研机构虽然拥有超高的理论能力，但是做具体产品的研发能力并不强，说白了，到实现实际商用能力要很长时间。
（责任编辑：韩丽）
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