中科院成功研发新型高精度光刻技术 台积电的2nm工艺会被赶超吗?

2020-10-14 11:07

运营商财经网 八卦叨/文

中科院突然宣布要研发光刻机,把大家吓一跳,真的能赶上吗?在回答这个问题前,我们先了解一下整个半导体行业背后的摩尔定律。

其实按照摩尔定律,35nm就是极限,2011年英特尔推出FinEFT技术,才有了22nm以上的技术。但是现在FinFET已经到极限了,台积电又研究出GAA技术给摩尔定律续命,这也是台积电能突破2nm的原因。但是台积电自己也承认2nm工艺是一个重要节点。

也就是说,2nm技术是一个瓶颈期,这不仅是台积电的瓶颈期更是全人类的,再者每缩小1nm就代表成本成倍提高,一座能生产14nm芯片的厂房需要100亿美元以上,2nm怕是很多企业承受不了的天文数字,有技术并不能保证有市场,也不能保证不亏损。我们可以认为,现在最先进的技术已经逼近终点,等着我们赶超。

回头看看中科院研发光刻机,并不是没有任何基础。上海微电子技术公司已成功突破了22nm光刻机的工艺技术,而今年7月,中科院苏州研究成功研发新型5nm高精度的激光光刻技术,并且是独立于ASML公司之外的一种新型技术路线,绕开了ASML的技术壁障。所以,并不是没可能。

(责任编辑:杨丹丹)

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文章关键词: 高精度光刻技术

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