2016-12-29 13:13 运营商世界网 杨连强/文
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高通在官方推特预告，将在CES 2017展会上对骁龙835进行宣讲，按照目前高通提供的资料显示，骁龙835性能比骁龙820/821提升了27%，猜测主频高达2.8GHz~3GHz。
根据之前公布的信息来看, 骁龙835将采用10nm FinFET工艺，PoP封装面积12x12.7，比骁龙821小了34%，还搭载千兆级骁龙X16 LTE调制解调器，并支持QC4.0快充。
据知情人士爆料称，骁龙835将采用8核芯设计，取代骁龙821处理器成为高通最顶级的移动处理器，成为明年最受期待的一款手机处理器芯片。从媒体的报道来看，小米6、LG G6、三星Galaxy S8都有可能成为首发机型。
骁龙835跑分成绩曝光
近日，疑似搭载骁龙835处理器的工程机跑分成绩在著名跑分软件GeekBench 4.0上曝光，从跑分成绩来看，骁龙835并没有与骁龙821拉开很大的差距，可能与这次测试的为工程机有关。
这次测试的设备型号为Essential FIH-PM1，处理器ID为ARM implementer 81，是高通独家的Kryo架构的特征数字，因此猜测这就是配备骁龙835处理器的工程机，该机搭载主频为1.9GHz八核处理器，内置4GB运存，运行Android 7.0系统。
数据显示，该机单核跑分为1844，多核跑分为5426，跑分成绩并不突出，搭载骁龙821的一加3T单核跑分为1924，多核跑分为4969；搭载麒麟960的华为Mate 9 Pro单核跑分为1949，多核跑分为6439。这样的跑分成绩和工程机有很大的关系，预计正式发布后，跑分成绩将有很大的提升。
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