运营商世界网 李博 /文
镁光（Micron）芯片研发公司近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会（Flash Memory Summit）上公布了他们的首款3D NAND闪存芯片，这种闪存芯片能在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。
据报道，镁光这款3D闪存芯片的容量为32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的UFS 2.1标准，市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。
目前像三星 Galaxy S7 edge、苹果 iPhone 6s这类的顶级移动终端使用的均为UFS 2.0闪存颗粒，镁光的UFS 2.1闪存颗粒在性能上能得到进一步突破。
与传统的2D NAND水平排布储存单元不同，3D NAND使用垂直的方式排布储存单元，这种方式既能拥有更高的容量，又能让芯片间的通讯变快。 3D NAND闪存芯片技术并非镁光独有，英特尔和三星都已经在SSD上应用了这种技术，相关产品的容量只会越来越大。
“随着我们针对移动细分市场推出3D NAND和UFS产品，Micron将继续推进NAND技术，”Micron移动事业部副总裁Mike Rayfield表示。“3D NAND性能更优异、容量更大、可靠性更高，因此能帮助我们的客户满足移动存储领域日益增长的需求，同时实现更加卓越的最终用户体验。”
镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高，虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示，在几年之内智能手机的内存容量可能会达到如今PC的水平，具体来说，大概在2020年就会触及1TB。不过，这家公司并未透露自家用于移动设备3D闪存芯片的发展路线图。
“3D NAND技术对于智能手机以及其他移动设备的持续发展至关重要，”Forward Insights的创始人兼首席分析师Greg Wong说道。“随着5G的到来，以及移动对人们数字生活的影响不断增大，智能手机制造商需要具备最先进的技术来存储和管理日益增多的数据。Micron移动3D NAND为高清视频、游戏和摄影提供了更加无缝的用户体验，非常适合于满足市场不断发展的数据存储需求。”
