三星3D V-NAND立体堆叠闪存行业闻名，而且已经堆到了惊人的48层，工艺精良，不过据《日经亚洲评论》报道，东芝正在谋划多达64层的NAND闪存，比三星多三分之一！
7月15日，东芝举办了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的启用仪式，并透露将在此生产48层堆叠闪存，并计划2016财年(截止到2017年3月底)内量产。
这种闪存的成本和价格会比较高，但是因为容量可以做的更大，平均价格反而会更便宜，可用于从智能手机、固态硬盘到数据中心等各种领域，初期主要供应持续增长的数据中心。
其实，东芝在今年春天就已经开始生产48层闪存了，并预计2017财年3D闪存将占其总产能的50％，2018财年突破80％。
三星则可能会在2017年下半年启用位于韩国京畿道平泽市的新工厂，生产自己的64层闪存，但官方尚未明确表态。
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